憑藉8吋晶圓供不應求的趨勢，世界先進8月營收開出好成績，27.84億元的營收不但年增率達21.35％，同時也成為單月歷史第三高的紀錄。成長趨勢確立下，世界先進也沒放慢長期布局的腳步。早在4年前開始布局的氮化鎵（GaN、Gallium nitride），今年底可望進入完備階段。
由於具備散熱佳、適合高頻應用的特性，氮化鎵成為各家半導體大家爭相投入的技術領域。根據市調公司Yole Développement的報告，氮化鎵的市場規模將從2018年的6.45億美元，成長到2024年的20.01億美元，年複合成長率高達21％。
然而，氮化鎵材料的特殊性，導致過去研發上很難突破大面積長晶的難題。「一般來說，氮化鎵都是用碳化矽（SiC）的基質板生產，」拓墣產業研究院分析師王尊民指出，以碳化矽生產氮化鎵的方式，難以生產大面積氮化鎵，他指出目前一個2吋氮化鎵晶圓就將近2500美元，「售價太貴了。」
業內人士分析，現階段台灣半導體廠商在氮化鎵研發上，普遍都還存在製程良率不佳的問題，導致氮化鎵價格偏高、應用難以普及，「現在就是沒有人用，沒有足夠的量產規模，大家的良率又不高，價格就會不好。」
另一個問題，則出在用於碳化矽基板上。目前全球碳化矽基板有近半掌握在國際大廠Cree手上，「目前的市場狀況，是碳化矽基板數量不太夠用。」王尊民指出關鍵材料上的短缺，讓台灣半導體廠商的氮化鎵研發多少受到侷限。
在兩大不利因素的影響下，為何世界先進仍順利完成氮化鎵研發，搶進產品研發階段？「我們是用一種工程基板（Engineered substrates），在上面生長氮化鎵。」方略說的，是世界先進與氮化鎵矽基板廠Qromis合作研發的「QST」基板。
這個特殊製造的基板，最大的優勢就是能突破氮化鎵過去無法大面積生產的問題，讓世界先進能夠成功生產出8吋氮化鎵晶圓，對客戶有更大的吸引力。
除此之外，QST基板的優勢還包含生產成本，能比透過碳化矽生產更便宜。方略提到，在產品可靠性、效能、成本上都完備的情況下，今年第三季開始已經送樣給客戶驗證，「都OK，它才會送終端客戶。」
若從應用上來看，快速充電等電源相關產品會先走，接下來則是往無線通訊的射頻市場發展，主要是用在基地台上。
在世界先進的規劃中，氮化鎵的前段生產將會在晶圓二廠進行，而後段製程將會在晶圓三廠。值得留意的是，為了滿足服務客戶一條龍的模式，世界先進也著手建立自己的晶圓薄化團隊。
作為改善電性與散熱的重要製程，世界先進選擇建立自己的晶圓薄化技術，「氮化鎵是我們重要的Know-how，我們從上到下都要自己掌握。」方略指出，今年底世界先進就會建立好晶圓薄化的能力。
「氮化鎵往下20、30年（發展）會很久很久，我們有很大的耐心。」方略指出，氮化鎵的發展將會開發出過去矽材料沒有做到的應用，世界先進是朝向新的市場布局。
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