施振榮投資記憶體設計廠NEO 發表新一代AI晶片記憶體技術

數位內容部

2026-08-13 17:21

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美國矽谷記憶體設計公司NEO Semiconductor，8月6日在全球記憶體與儲存產業年度盛會Future Memory and Storage（FMS 2026）發表新一代AI晶片內建記憶體技術X-SRAM，並同步推出NEO.AI平台。

該平台整合X-SRAM與3D X-DRAM兩項核心技術，致力解決AI晶片內建記憶體容量不足，以及高頻寬記憶體（HBM）容量與功耗限制等兩大挑戰。

之前參與策略投資該公司的宏碁創辦人施振榮，同日也在社群上發文轉貼訊息，表達看好X-SRAM與NEO.AI平台。施振榮發文中表示，看好NEO Semiconductor持續推動AI記憶體創新，並期待這些突破為台灣及全球半導體產業帶來更多可能。

NEO Semiconductor 兩項核心技術於 FMS 2026 Best of Show Awards 中雙雙入圍決賽，其中 X-SRAM 入圍「Next-Gen Memory Award」，3D X-DRAM 入圍「3D & NAND Innovation Award」。兩項技術同時獲得國際專家評審肯定，不僅彰顯 NEO Semiconductor 在 AI 記憶體創新的領先地位，也進一步提升公司於全球半導體產業的能見度。

Future Memory and Storage（FMS）是全球記憶體與儲存產業最具影響力的年度國際盛會，匯聚半導體、AI、雲端運算、資料中心等領域的國際企業與產業領袖。今年NEO Semiconductor受邀發表主題演講，由創辦人暨執行長許富菖（Andy Hsu）正式介紹X-SRAM與NEO.AI平台，展現公司於新世代AI記憶體技術的重要突破。

隨著生成式AI與大型語言模型快速發展，AI晶片對記憶體容量的需求持續攀升。然而，傳統SRAM於先進製程已逐漸接近微縮極限，使晶片內建快取容量成長受限，導致HBM存取增加、功耗與成本同步提升，形成日益嚴重的AI Memory Wall。

NEO Semiconductor表示，X-SRAM採用全新記憶體架構，在完全相容先進Nanosheet CMOS製程下，可提供最高5倍於傳統SRAM的記憶體密度，使AI晶片內建記憶體容量可望由目前約200至400MB提升至1至2GB，並預估降低HBM存取功耗約50%至80%。此外，X-SRAM亦具備未來發展3D SRAM的潛力，可望將記憶體密度進一步提升20倍以上。

NEO Semiconductor創辦人暨執行長許富菖表示：「當傳統記憶體逐漸接近物理極限，AI Memory Wall已成為下一代AI發展的重要挑戰。透過NEO.AI平台整合X-SRAM與3D X-DRAM，我們希望同時提升晶片內建記憶體與HBM容量，打造更高效、更具擴充性的AI記憶體架構。我們也正積極尋求與全球晶圓代工夥伴合作，共同推動X-SRAM技術開發，加速下一代AI記憶體技術商業化，攜手推動AI運算邁向新的世代。」