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防堵中國半導體崛起 美禁售14奈米給陸企,再對1晶片廠痛下殺手...南韓將成刀下冤魂

防堵中國半導體崛起 美禁售14奈米給陸企,再對1晶片廠痛下殺手...南韓將成刀下冤魂
▲拜登政府爆打中芯後,大陸記憶體廠長江存儲也不放過。

中時新聞網 記者吳美觀

國際總經

達志

2022-08-07 16:31

拜登政府防堵中國大陸半導體崛起,一連串打壓動作不手軟,繼禁售14奈米(含)以下半導體設備給中芯等陸企後,韓媒報導,美國再度考慮限制大陸取得美國快閃記憶體晶片設備,一旦禁令上路,不只陸晶片廠長江存儲受影響,韓國三星和SK海力士等大廠可能遭受更巨大損失。

 

韓國《亞洲經濟》報導,美方此次研擬禁止對大陸銷售用於製造128層堆疊以上的NAND快閃記憶體晶片設備,禁售對象如長江存儲等,目前仍在討論階段;而能生產製造128層堆疊以上的NAND快閃記憶體設備的美企,包括應用材料和科林研發等。

 

若這項禁售計畫獲得批准,將是美方首次透過出口管制來限制大陸生產非軍事用途的儲存型晶片。

 

有專家認為,美國快閃記憶體晶片設備不出貨給大陸,最大受害者可能是韓國半導體產業,尤其是三星和SK海力士。目前三星在大陸西安、蘇州有兩座NAND快閃記憶體晶片工廠,SK海力士則在無錫、重慶和大連設有生產線;此前,海力士併購英特爾在大陸的NAND快閃記憶體晶片製造業務。

 

由於三星、海力士生產快閃記憶體晶片,仍需仰賴美國供應商的設備,一旦禁運兩家韓企位於大陸的工廠,造成嚴重後果不言可喻。

 

陸晶片巨頭長江存儲生產智慧型手機、個人電腦和數據中心裝置內儲存數據的NAND快閃記憶體,已成功量產128層NAND快閃記憶體,有傳聞指出,最快今年底可量產232層NAND快閃記憶體晶片。

 

美國白宮於去(2021)年6月發布的一份報告中指出,長江存儲的擴張戰略對美光(Micron)、威騰(Western Digital)等美國企業構成「直接威脅」。

 

※本文授權自中時新聞網,原文見此

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