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鎖定DDR-II 抓牢投資新機 P.127

鎖定DDR-II  抓牢投資新機 P.127

DRAM產業大起大落,供給彈性不大,但卻是受惠英特爾新處理器的大黑馬。不過,記憶體封測產業波動較大,循環也較快,一般投資人並不容易掌握股價賣點。

從過去二十年來的經驗,全球DRAM(動態隨機存取記憶體)的容量年成長率,平均約在六○%左右,不管總體經濟景氣好壞,容量需求的成長率變化不大,但是當經濟景氣大好,且電腦軟硬體架構進入世代交替時,會使DRAM的市場需求量成長八○%以上(例如一九九五年及二○○○年),此時產業供給成長率遠低於需求成長率,就會造成價格狂飆。

例如九五年一顆4MB DRAM現貨價高達十八美元、合約價十三美元,每一台486電腦的成本結構中,光花在DRAM採購上便達一五○美元。但九六年以後,又因為廠商大幅度擴廠,導致供給高於需求,九七年以後每顆4Mb DRAM又跌至○.四五美元。

就DRAM的供給影響來看,英特爾推出支援DDR-II的Grantsdale晶片組,不影響供給面,但會刺激需求面大幅成長。

記憶體容量倍增市場可期

英特爾的Grantsdale晶片組要求一定要內建雙通道模組,才能享有較高的運算效率,主機板業者必須加大DRAM內建容量至512MB,才能有效發揮其平台效能,對目前仍以256MB為主流的電腦市場,無疑是一劑提升記憶體搭載量的強心針。

此外,依據過去業界經驗,英特爾每回推出新一世代資訊硬體規格,都會刺激個人電腦市場出現一波換機潮,對於提高DRAM市場的需求量,是潛在的利多支撐。整體而言,今年DRAM供給面趨緊的因素並未解除,需求面則在Grantsdale上市後,供給需求之間的缺口將進一步擴大;當每台電腦配置的基本DRAM容量轉換為512MB時,等於是增加一倍的需求量,廠商的營運將會展現十足的爆發力。

因此,第三季以前DRAM價格將可維持穩定向上趨勢,今年市場景氣的確不用看淡,投資仍以十二吋廠生產比重較高的力晶及茂德為首選。

由於短期內DRAM廠因成本、製程和規格等問題仍難解的情況下,DDR-II將難以在今年內成為主流,若參考上一次DRAM主流規格由SDRAM(同步動態隨機存取記憶體)轉成DDR(雙倍速資料傳輸)的時程來看,費時約一年兩個月,此次在英特爾的主導下,DDR-II主流更迭的時程,應可於明年中順利登上主流。

預估明年中確立主流地位

根據市調機構iSupply預估,DDR-II至第二季末占全球標準型DRAM產能比重仍不及五%,但年底時有機會提高到一九%,明年上半年則可達三五%以上。因此,iSupply則是保守預估DDR-II在明年下半年或後年初以後,主流地位才會確立。

雖然英特爾力推支援DDR-II記憶體的Grantsdale晶片組平台,不過目前真正能夠量產DDR-II記憶體的業者,僅有三星、爾必達和美光等少數業者,因此價格仍居高不下,同樣400MHz的DDR-II DRAM,每顆現貨價格約為十美元,約是DDR DRAM價格的兩倍,如果以目前力晶、南科、茂德等廠商生產DDR DRAM的成本結構計算,每顆DDR-II的毛利率可達八○%,淨利率七○%以上,簡直比印鈔票還好賺。

但由於量產DDR-II門檻高於DDR,且進入第二季後,資訊市場對DDR-II需求量將明顯攀升,因此,DDR-II將可望重演SDRAM轉換DDR時的火熱行情,甚至價差更高,預估DDR-II到○四年第三季前,與DDR價差仍可達五○%以上。

除價格高可使DDR-II可保有較佳的利潤外,OEM(委託代工)電腦大廠或英特爾對DDR-II的認證也較嚴格,由於開發DDR-II與過去開發DDR有較大差異,除了產品規格需要重新設計外,製程及光罩設計也大不相同,加上DDR-II晶片規格速度已推升至533MHz,採用十二吋廠○.一一微米製程技術生產的廠商,將較具有成本效益,量產品質的穩定度也較高,因此力晶及茂德勝出的機會相對還是較高,甚至進入DDR-II世代後,八吋廠包袱重的美光、海尼士(Hynix)將會被拋在後面。

國內業者南亞科和茂德五月底可完成認證程序,力晶初期則透過爾必達出貨,而近期上述公司認證的結果對股價的反應將值得留意,先取得英特爾DDR-II產品認證者,可望在股價上有超越族群漲幅的表現。

封測委外代工趨勢更顯著

由於Grantsdale晶片組與繪圖卡、網路卡之間的傳輸速率加快數倍,所以傳統的塑膠平面晶粒承載封裝(QFP)製程已不能使用,須改採用高階的閘球陣列封裝(BGA);傳輸速率更高的繪圖晶片和CPU,更是只能採用覆晶封裝(Flip Chip)的封裝方式;而DDR-II DRAM封裝技術,則由目前SDRAM或DDR DRAM的TSOP(小型晶粒承載封裝),改為高階CSP、FBGA技術,在在都會刺激高階封裝測試的需求。

台灣的封裝、測試業,經常是跟著晶圓製造廠的腳步,當力晶、茂德、南科等DRAM廠在今年中開始試產DDR-II DRAM後,日月光、矽品、京元電、力成等封測業也會跟上,並拉大與二線封測廠的差距。進入DDR-II世代後,封裝製程由TSOP轉換至CSP、BGA,此外,DRAM傳輸速率由400MHz提高至533MHz以上,測試廠也必須購置高頻設備,且由於新一代設備投資額比DDR高出一倍,因此IDM(整合元件)大廠多已停止投資,轉而改採委外代工。

然而過去除台灣業者釋出委外代工外,國際DRAM大廠的後段封測業務,均是在自有廠內完成,而目前海力士、爾必達的DDR-II,已向台灣封測廠下單,美光、英飛凌也和台系封裝廠密切接觸中,預期在晶片規格轉換快速展開後,IDM廠封測訂單釋出的動能將逐季轉強。

力成董事長蔡篤恭說:「目前全球封測廠對DDR-II的投資,並未有太大的動作,目前DRAM廠都非常擔心封裝產能不足的問題,因此對於已經先行建置產能的廠商無疑將享有一段蜜月期。」尤其在主流規格轉進DDR-II以後,封測委外代工趨勢將更顯著,京元電、泰林及力成將是直接受惠的廠商,至於高階產能比重較高的日月光及矽品也將受惠於覆晶、BGA封裝訂單的釋出,因此今明兩年封測市場展望依然樂觀,近期股價大幅修正後已再度浮現投資價值。但記憶體封測的產業波動較大,循環也較快,一般投資人並不容易掌握股價賣點,該類股本益比不該高於DRAM製造類股。

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