今周刊編按：華邦電 (2344) 周二(2/11)法說會喊出目前產能接近滿載，近兩年產能全賣光，若再承接新增訂單恐面臨超賣風險，周三(2/12)股價開高來到109元、一度大漲5.3%。
法說會上總經理陳沛銘指出，AI應用帶動記憶體需求，尤其DDR4缺口大到不曉得怎麼補起來，今年記憶體價格將逐季上漲，SLC NAND快閃記憶體缺口更大，漲幅將超過DRAM。
陳沛銘說，董事會核准資本支出預算46.81億元，其中24億元預計作為台中廠擴充NOR／NAND快閃記憶體產能，全年資本支出將達421億元。下半年新產能開出後，營收獲利持續向上，對2027年展望樂觀。
不過，外資一反之前越跌越買的操作手法，在週二華邦電法說會當天，終止連４買、轉而大賣6萬張，在股價高檔之際，分析師表示在急跌時才具備極高的長期安全邊際、進場建倉，不要追高才能相對保險。
華邦電 (2344) 周二（2/11）召開法說會，總經理陳沛銘表示，受惠記憶體需求持續升溫，供給端結構性收縮影響下，即使公司已啟動擴產計畫，短期內仍難以完全補足市場缺口，並預期第二季產品價格漲幅可望與第一季相當，下半年也穩健，整體價格趨勢維持穩健向上。
客製化記憶體 (CMS) 方面，華邦電指出，主流記憶體大廠持續將產能集中於 AI 與 DDR5 等高階產品，導致 DDR4、DDR3 等成熟製程產品出現明顯結構性供給缺口。即使華邦電持續擴充產能，短期內市場缺口仍難以完全填補，使價格走勢呈現穩健向上，而非一次性大幅波動。
陳沛銘看好，智慧家電、工業設備、機器人、無人設備與邊緣 AI 裝置等新興應用，多仍採用 DDR4/DDR3 規格，對利基型 DRAM 需求形成長期支撐，進一步強化價格韌性。
在 Flash 產品方面，華邦電維持全球 NOR Flash 龍頭地位。公司表示，隨著部分競爭對手將產能轉向 3D NAND 與高階記憶體，2D NAND 與 SLC NAND 供給明顯收縮，反而推升相關產品在 Code Storage 市場的議價能力。
隨著車用電子、穿戴裝置、伺服器、IoT 與 PC BIOS 容量需求持續提升，單顆 Flash 容量快速放大，整體位元用量增加，公司預期，在供給仍偏緊的情況下，第二季 NOR 與相關 Flash 產品價格漲幅將與第一季相當。
華邦電目前整體產能已接近滿載，且先前已釋出近兩年產能全賣光，強調此基準是在既有客戶需求下接近極限，若再承接新增訂單恐面臨超賣風險。
華邦電進一步指出，AI 基礎建設持續推進，帶動企業級儲存與運算需求成長，使過去較少涉入的應用領域，也開始出現新的記憶體需求。公司認為，在 AI 建設尚未完全成熟之前，相關記憶體需求與價格水準，仍將維持一段時間的高檔表現。
※本文授權自鉅亨網，原文見此。
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