今周刊編按：美晶片股周一(7/27)帶頭下殺，主要是有外媒報導中國半導體產業傳技術突破，費半指數收黑 2.23%，創5月19日以來收盤新低，記憶卡製造商SanDisk股價暴跌 11.02%、SK海力士ADR也大跌7.47%，設備廠ASML首當其衝更是下殺超過8.42%。
亞股周二(7/28)跟著血崩，日股一度重挫4%超過2000點，其中鎧俠暴跌超過18%，韓股更暴跌逾8%再次觸發熔斷機制暫停交易，台股最低來到41815.78點，重挫逾1818點、不只失守42000點也破前次低點。
多家外媒報導，中國半導體產業接連釋出2項重大消息，1是記憶體晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 在上海掛牌首日股價飆升466%；2是中國傳出已開始生產自主研發的浸潤式深紫外光 (DUV) 曝光機。
消息均指向中國晶片供應鏈加速本土化，引發市場重新評估全球記憶體與半導體設備產業的競爭格局。
日股指數線圖
.JPG)
▲翻攝YAHOO股市
韓股指數線圖
.JPG)
▲翻攝YAHOO股市
多家外媒報導，中國半導體產業週一 (27 日) 接連釋出兩項重大消息，一是記憶體晶片製造商長鑫存儲 (CXMT) 在上海掛牌首日股價飆升 466%，二是中國傳出已開始生產自主研發的浸潤式深紫外光 (DUV) 曝光機。兩大消息均指向中國晶片供應鏈加速本土化，引發市場重新評估全球記憶體與半導體設備產業的競爭格局。
相關疑慮迅速蔓延至美股。美光 (MU-US) 週一盤中一度重挫 7%，終場跌幅收斂至 2.25%；記憶卡製造商 SanDisk (SNDK-US) 暴跌 11.02%，成為標普 500 指數當日表現最差的成分股；SK 海力士 ADR (SKHY-US) 也大跌 7.47%。
中國國產 DUV 傳出進展 晶片設備股率先受創
市場關注中國在曝光機領域取得的進展。《The Information》及外媒週一報導，一家位於上海、獲中國政府支持的企業，已開始生產自主研發的浸潤式 DUV 曝光機，相關團隊納入宇量昇科技等新創公司的人員。
按照規畫，該公司今年將生產 5 台 DUV 設備，明年把產量提高至 20 台，潛在客戶包括中芯國際 (00981-HK)、長鑫存儲及華虹半導體 (01347-HK)。
這項消息加深投資人對中國晶片設備國產化的疑慮。市場擔心，一旦中國跨越曝光機的技術門檻，未來也可能加快取代沉積、蝕刻及檢測等美國製造設備，促使相關類股遭到拋售。
艾司摩爾 ADR (ASML-US) 盤中一度下跌約 7%，終場收低 5.8%；接近收盤時，應用材料 (AMAT-US) 跌約 4%，科林研發 (LRCX-US) 下挫約 4.5%，科磊 (KLAC-US) 也跌約 3%。
中國國產 DUV 傳出進展之際，美國國會正在推動《硬體技術管制多邊協調法案》(MATCH 法案)。該法案旨在限制中國購買及維修浸潤式 DUV 設備，但若中國具備自行生產相關設備的能力，美國擴大出口管制所能發揮的效果可能因此減弱。
長鑫存儲躍居中國市值最高上市企業
除了曝光機技術進展，長鑫存儲的掛牌表現也放大市場對中國記憶體產業崛起的關注。根據 LSEG 資料，長鑫存儲上市首日市值達約 4,840 億美元，超越其他中國上市企業。
長鑫存儲目前是全球第 4 大動態隨機存取記憶體 (DRAM) 製造商，規模僅次於 SK 海力士、三星電子及美光。不過，由於公司仍無法取得艾司摩爾的極紫外光 (EUV) 曝光技術，在生產先進高頻寬記憶體 (HBM) 方面仍受到限制。
中國自製 DUV 曝光機傳出進展後，投資人開始重新衡量長鑫存儲及其他中國晶片業者的長期競爭力。
Radio Free Mobile 創辦人 Richard Windsor 表示，HBM 的利潤較高，促使主要記憶體廠商把部分產能從消費性電子產品使用的傳統 DRAM，轉移至 AI 資料中心晶片。這項產能調整造成一般 DRAM 市場出現供應缺口，也為長鑫存儲提供填補需求的機會。
Windsor 預期，當 DRAM 供應恢復正常後，長鑫存儲股價可能出現「大幅修正」；不過，在供需重新取得平衡以前，公司仍可望維持良好的發展環境。
華爾街認為賣壓過度 量產能力仍待驗證
儘管半導體類股大幅下挫，多家華爾街機構認為，市場把中國取得的初步進展，直接等同於艾司摩爾即將失去市場主導地位，對消息的反應與實際風險並不相稱。
美銀證券分析師 Didier Scemama 將艾司摩爾這波跌勢形容為「具吸引力的進場機會」，重申「買進」評等及 2,452 歐元目標價，並認為中國本土設備目前對艾司摩爾構成的威脅仍然有限。
Scemama 指出，中國主要曝光機製造商上海微電子裝備 (SMEE) 尚未證明，其設備能夠支援 28 奈米以下製程的大規模生產。相較之下，艾司摩爾 NXT:1980Fi 機台每小時可處理 330 片晶圓；中國設備只要在精度、速度或穩定性方面落後，就可能拖累良率，並墊高單顆晶片的製造成本。
根據他的估算，即使中國明年成功取得 20 台國產 DUV 設備，對艾司摩爾銷售額造成的影響約為 14 億歐元，僅占公司預估整體營收的 2.4%。
摩根大通分析師 Sandeep Deshpande 也表示，少量製造浸潤式 DUV 設備，與在晶圓廠支援大規模量產，代表兩種截然不同的能力。中國設備能否形成實質競爭，仍須檢視良率、套刻精度與產能效率，以及經歷數千批晶圓生產後的可靠度。
Deshpande 認為，中國發展自製設備，確實會增加艾司摩爾中國業務面臨的長期風險，但預期不會影響公司的中期獲利表現。
法國巴黎銀行分析師 Jakob Bluestone 則將這項發展視為艾司摩爾的「小幅利空」。他指出，到 2030 年前，預計僅中國擴充的 DRAM 產能，每月晶圓投片量就將增加逾 50 萬片，需要數百台 ArFi 浸潤式微影設備支援。
Bluestone 表示，艾司摩爾現有產能無法在滿足全球其他市場需求的同時，包辦中國擴產所需的所有設備。因此，中國自行生產部分曝光設備，可能是因應當地晶片產能成長的必要作法，不能直接解讀為中國設備將全面取代艾司摩爾。
AI 合作支撐記憶體需求 回檔被視為進場機會
雖然記憶體類股週一普遍走低，AI 企業持續擴大合作，仍反映先進記憶體需求保持強勁。
輝達 (NVDA-US) 上週五與南韓 SK 集團簽署合作意向書，計畫投入超過 5,000 億美元，除了與 SK 電訊共同興建 AI 工廠，也將和 SK 海力士合作開發新一代 HBM。
博通 (AVGO-US) 也與三星電子簽署合作備忘錄，雙方將擴大先進記憶體、晶圓代工，以及 AI 與網路晶片先進封裝等領域的合作，預計截至 2030 年的合作規模將超過 2,000 億美元。
伯恩斯坦分析師 Mark Li 指出，這些合作大多圍繞記憶體展開，顯示輝達與博通正在積極確保未來供應。市場預估，記憶體產業在 2027 年及 2028 年的年營收可達 1.3 兆美元，對 AI 發展的重要性已超越邏輯晶片。
Li 因此將近期記憶體股回檔視為「良好進場點」，並認為輝達與博通公布的新合作，有助於緩解市場對未來供應不足的擔憂。週一輝達股價重挫 4.99%，博通則逆勢上漲 0.34%。
※本文授權自鉅亨網，原文見此。
延伸閱讀：
