今年3月31日，在台積電高雄廠區、晶圓22廠舉辦的擴產典禮上，台積電執行副總經理暨共同營運長秦永沛表示，台積電2奈米為全球當前最領先的半導體製造技術，強調2奈米製程下半年將進入量產。
外媒也盛讚，台積電2奈米製程技術的缺陷密度(defect density，DD)明顯低於同時期的3奈米、5奈米和7奈米製程。其2奈米製程的缺陷減少率與之前的FinFET節點相符，展現出台積電強勁的製程研發與缺陷管理能力，顯示台積電成功將製程學習和缺陷管理專業知識，成功轉移到新的GAAFET(環繞閘極電晶體)，且過程未遇到重大挫折。
台積電在3月31日在高雄舉行2奈米擴產典禮，秦永沛表示，台積電2奈米為全球當前最領先的半導體製造技術，該製程晶片「相同功耗下，速度可提升10~15%；相同速度下，功耗可降低25~30%。」
秦永沛強調，2奈米製程今年下半年進入量產，在超級電腦、行動裝置、雲端資料中心等應用，客戶都持續與台積電緊密合作。
台積電日前舉辦2025年北美技術論壇，揭示下一世代先進邏輯製程技術A14。A14製程技術體現公司在其領先業界的N2製程上的重大進展，此技術旨在透過提供更快的運算和更好的能源效率來推動人工智慧轉型，其亦有望透過增進裝置端AI功能(on-board AI capabilities)來強化智慧型手機功能，使其更加智慧。
台積電表示，A14製程技術計劃於2028年開始生產，截至目前開發進展順利，良率表現優於預期進度。
與即將於今年稍晚進入量產的N2製程相比，A14將在相同功耗下，提升達15%的速度；或在相同速度下，降低達30%的功率，同時邏輯密度增加超過20%。
根據科技媒體《Tom's Hardware》報導，台積電在北美技術研討會指出，2奈米製程技術相對於同期前代產品的缺陷密度(defect density，DD)，低於同期3奈米、5奈米 和 7奈米製程。
報導還說，此次2奈米缺陷密度表現，尤其是在面對新架構轉換風險下，凸顯台積電成功將其製程學習和缺陷管理專業知識，轉移到新的GAAFET時代，且過程中未遭遇任何重大挫折。
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