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三星、SK海力士狂蓋4座晶圓廠,5年拚記憶體產能翻倍!李在明1800兆韓元拚AI,為何2家股價不漲反跌

三星、SK海力士狂蓋4座晶圓廠,5年拚記憶體產能翻倍!李在明1800兆韓元拚AI,為何2家股價不漲反跌
▲南韓總統李在明宣布啟動半導體「三大超級項目」。

鉅亨網編譯 陳韋廷

科技

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2026-06-29 17:59

今周刊編按:南韓總統李在明宣布啟動3項「超大型計畫」(大躍進3大巨型計劃),將朝半導體、AI資料中心與機器人等實體AI領域擴大發展,總投資金額超過1,800兆韓元(約37.2兆元台幣)。

而三星電子和SK海力士將興建4座新晶圓廠,南韓產業部長說,兩企業計劃各自興建2座晶圓廠,總投資額800兆韓元(16.5兆台幣),南韓整體目標是在5年內把DRAM產能提高1倍。

不過看似利多消息,三星股價收盤卻是重挫4.76%,SK海力士下跌1.68%,分析原因,是由於市場擔憂2大晶片巨擘,未來10年投資規模可能突破2000兆韓元(約41兆台幣),將會嚴重侵蝕短期獲利。

李在明:政府將統籌公私資源確保「壓倒性」晶片供應能力

 

南韓總統李在明在當地時間周一 (6/29) 下午正式宣布「大飛躍三大超級項目(Three Mega Projects for the Great Leap Forward)」,強調該國正處於半導體與 AI 競爭的關鍵十字路口,政府將統籌公私資源確保「壓倒性」晶片供應能力,並承諾加速建設現有生產基地、於西南部和光州等地新闢廠區,以打造完整 AI 生態系,並促進區域均衡發展。

 

南韓產業通商資源部長官金正官表示,將投入約 800 兆韓元 (約 5180 億美元,16兆台幣) 於西南部興建四座半導體晶圓廠,三星電子與 SK 海力士各認建兩座,且政府將加快當地環評與審批作業以迅速擴充記憶體產能;中部地區則聚焦先進封裝技術,東南部規劃為材料、零組件、設備及次世代功率半導體重心。

 

此外,未來 15 年將編列 30 兆韓元投入次世代記憶體研發。

 

李在明還說,光州與全羅地區在此框架下可望獲 520 兆韓元等級投資,西南部新選廠址相關投資規模初估達 5 至 20 兆韓元。

 

延續南韓歷年「半導體超級聚落」政策精神

 

他並指出,現有龍仁、平澤集群水電負載已近飽和,上述最新布局除能紓緩首都圈資源過度集中,也配合物理 AI 與 AI 資料中心全國佈建需求,完善工業數據蒐集與應用體系。

 

三星與 SK 集團高層出席發布會並簡報個別投資計畫。分析人士認為,此舉延續南韓歷年「半導體超級聚落」政策精神,但在 AI 驅動 HBM 與先進封裝需求爆發背景下,投資規模與國家級戰略位階均創新高,能否落實選址、水電基礎建設與技術突破將是成敗關鍵。

 

※本文授權自鉅亨網,原文見此

 

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