以台灣現況而言，DRAM幾已式微，若政府對3D-NAND再無具體作為，乃等同宣示台灣為「無記憶體之國」，眼睜睜地看著舊日曾撐起台灣半天邊，未來只㑹更大的兆元記憶體產業的全盤傾倒，台灣堪憂！
1987年，當日本東芝半導體開始量產「快閃之父」Fujio Masuoka博士所發明的史上首顆2D-NAND快閃記憶體後，它很快成為舉世公認的「半導體硬碟」SSD的代名詞。 緊接著，當世界快速地邁入大數據丶互聯網丶後電腦行動時代後，由於新興市場的巨大需求，加上東芝快閃的獨特優越架構，其容量和產值均增加神速，甚至超越了「摩爾定律」。往後卅年內，每1.5年均能持續地保有驚人的倍數成長，對世界半導體作出了巨大貢獻，也奠定了東芝在快閃行業中崇高的開山祖地位。
但東芝高層並沒有給他足夠的榮譽和獎賞，因此在服務21年後，於2004年憤而辭職。並在2008年控告其老東家需補償他800萬美元的獎金，最後僅以80萬美元，區區十分之一的金額草草結案。
在2013年美國聖荷西國際快閃高峰會(FMS)的千人大會上，終於還給Fujio Masuoka一個公道，頒給他一個最高榮譽的「終生成就奬」。2016年當NAND 的年產值超過400億美元，不僅取代舊龍頭DRAM，變成半導體第一，又在單位容量賣價上打敗了稱霸多年的「機械式硬碟」HDD，登上了另一個歷史高峯。因此2017年春節年假尚未結束時，突然傳來東芝有意快速出售其高利潤的NAND快閃部門，來補償其在美國核電廠投資巨額損失的不尋常舉動，馬上捲起了千層巨浪，更深深震撼了全球記憶體產業。
東芝NAND快閃釋股的戰略分析
1）第一輪對任何買家均不設限，有利炒股測水溫之嫌：
在今年三月投標日截止之前，總共吸引了約十家美丶日丶韓丶台等大咖企業前來搶親，其過程中，以鴻海單獨出資3兆日元天價的聘金，成了全球最吸睛事件。
2）第二輪設下以「美丶日買家為優先」，大辣辣地防中丶台丶韓等買家：
筆者猜這是日本官民基金INCJ，在第一輪確定世界排名第一的美國「無工廠設計公司」博通等出資 2.5兆日圓，已遠超出其預定金額後，所推出的有排中丶台丶韓等岐視條款。
但若因此粗淺地認為東芝釋股不排美，不防美也是站不住腳的。證據一是東芝和其伙伴威騰已合蓋了幾座NAND廠，但全部建在日本，美國一座也没有；證據二是五月中旬的傳聞，INCJ已在運作組成「全日系買家」，但因兆元聘金實在過於龎大，不易在短期內統籌成功，可能被迫延長第二次決標截止日期至今年六月。
東芝快閃釋股交易的「井外觀點」
在創新領域英文有一句老話，叫做「Out-of-Box Thinking」，譯為「井外觀點」以別於「井內觀點」。「井外觀點」強調其看法敢於創新，從井外海濶天空無拘無束、較獨立的條件下來透視問題。
1)東芝快閃釋股事件，應訂位為一般大商業行為, 不能和「國安問題」畫上等號：
因為NAND有關的技術專利發明，仍屬商業層次，均詳細地公開於世界各國專利局，實無機密可言，因此國安問題，不能被過度放大，進而扭曲了其商業交易的合法性和透明性，模糊了焦點。
2)東芝快閃工藝有其優越性和侷限性，無法吸引全球老玩家來搶親：
證據是買家中缺了排名世界第一的三星、第四的美光和第六美光富爸爸英特爾，而僅排名第三的東芝伙伴威騰及排名第五的海力士，積極地和兩大新玩家鴻海和博通作激烈競爭。原因無它，東芝3D-NAND開發雖已耗掉十年，但真正量產尚屬初始階段，落後三星最少三年。另外，東芝工藝和三星丶美光相比，並不突出且無勝算把握之勢。
3)東芝快閃工藝對中國而言，只是其眾多發展中3D-NAND的另一個選項而已：
證據一是美國英特爾和美光，早在中國大連蓋廠，生產第一類3D-NAND；證據二是韓國三星也在中國西安生產第二類3D-NAND；證據三是美國Cypress（賽普拉斯半導體），也在幇助中國紫光在武漢和南京發展第三類3D-NAND。
雖然前兩種快閃，中國没擁有產品權，但其所布格局甚大，中國是全球唯一的國家，同時擁有三種當紅3D-NAND，在其境內訓練其國內工程師，對中國而言，東芝快閃的機密性和重要性，已相對薄弱，只是多一個選項而已。因此東芝以防止鴻海洩漏其機密至中國，來排斥甚至可能以鴻海子公司夏普為主導的日丶美丶台聯軍的搶親，有涉「井內觀點」之嫌，對台灣極不公平。
4) 東芝若拒絕鴻海集團搶親, 其美國核電廠錯誤的決定, 可能重演：
因為鴻海新集團成員如蘋果丶亞馬遜丶戴爾丶及鴻海，均是快閃使用大戶，若排斥此集團入股，絶對是阻礙東芝一個跳躍式成長的機會，其市場佔有率，恐落後三星愈來愈遠，有違其最大商業利益之慮。
5) 自己國家的科技自己救：
「東芝快閃嫁女劇」明顯告訴世人，由於目前國際間瀰漫著冷戰思維，任何高科技創新產業，只能靠自己長期開發研究，由小到大「一步一脚印」走出來的，它已無法憑靠花大錢購買而速成。以台灣現況而言，DRAM幾已式微，若政府對3D-NAND再無具體作為，乃等同宣示台灣為「無記憶體之國」，眼睜睜地看著舊日曾撐起台灣半天邊，未來只㑹更大的兆元記憶體產業的全盤傾倒，台灣堪憂！
6) 未來，誰主宰記憶體，誰就主宰半導體，不是CPU（中央處理器），也不是晶圓代工：
最近市場上，因DRAM和NAND報價爆漲，三星藉其記憶體龍頭地位，幾乎壟斷式的高額利潤，今年已有機會取代設計第一的英特爾，往後甚至有可能超越代工第一的台積電，成為世界半導體的新盟主。
總之，尖端快閃其技術門檻甚高，已不能如以往「井內觀點」視之為一般爛價低利潤商品(Commodity)；反之，台灣應優先「尖端快閃」地位，不能袖手旁觀，譲鴻海單打獨鬥，多方引進或自主開發尖端快閃科技，乃現任政府無法推諉的責任。最後，國人也應該對鴻海郭董事長不畏艱難，決心進入快閃的魄力和眼光，給予熱烈的掌聲。
未來趨勢 「4D-NAND」釋放了「3D-NAND」必要之惡的設計原罪
多年來尋找符合「上帝聖杯」條件的記憶體，乃半導體科學家夢寐以求的最高境界，但聖杯的條件又是什麼呢？目前業界的具體共識條件有三：
第一，必需是非揮發性記憶體（NVM）；第二是要具有如DRAM（VM）般的快速度(>250ns) 和高品質；第三要達成最高容量至少1兆位元（>1Tb＝10的12次方 bits) 和最低成本(10-cent/GB)。目前3D-NAND在條件三居領導地位，但條件二由於其「必要之惡」的設計原罪，在記憶體評比上，不僅其讀寫速度最慢，資料品質也最差。三十年來，針對達成條件二的設計目摽，不管何類3D-NAND，均完全束手無策。井外尋找聖杯已成共識。
至2017年為止，已有兩個新興的非揮發性記憶體稱為SCM(Storage-Class-Memory) 躍出台上，激烈角逐「快閃聖杯」。一為美光／英特爾自2016年開始量產的3D-Xpoint，二為威騰／東芝合作開發的3D-ReRAM。雖然宣稱其讀寫速度是3D-NAND的千倍，但在系統上實質量測結果，只改進約十倍而已。
在條件三的成本計算上，目前已證明兩者雖比DRAM便宜甚多，但仍舊遠遠不敵最低價的3D-NAND。在大存儲（Mass-storage）巨大市場上，3D-NAND仍穩穩地保持其至尊地位。結果是3D-NAND丶3D-Xpoint丶和3D-ReRAM 共存於不同應用上的場面，但「快閃聖杯」的尋找仍然落空，聖杯之䛧依然未解。
有別於對手，我們從「井外觀點」出發，提出一個基本上「完全自主創新」的「3D-NAND+類DRAM」混合型的4D-NAND，來接受「快閃聖杯」三條件的檢驗。它最大的特徵是啓用了一個內隱「一時多工」的平行架構，而3D-NAND只能執行「一時一工」。
若一時多工在4D-NAND同時執行時，在速度上4D-NAND將比3D-NAND 快一到十倍。如同愛因斯坦「相對論」所述， 時間長度已不再是常數。等效上，時間在4D-NAND系統中變長了，事情就作多了；反之，時間在3D-NAND系統中變短了，事情就作少了。 總的來說，4D-NAND設計是集前端高速度「揮發性」DRAM和後端極低價「非揮發性」3D-NAND於一身，很巧妙地「釋放」了前所述的3D-NAND「原罪」。 4D-NAND不僅前可攻傳統極低單價的3D-NAND市場，後也可攻高單價新興的SCM市場， 堪稱「一石兩鳥」，可能是尋找已久的「聖杯」。
※中國3D-NAND 發展現況
至2017年為止，在中國境內，總共有三類3D-NAND同時在發展進行中，其中以韓國三星，在中國西安大量生產的第一類的3D V-NAND，排名第一；美國美光／英特爾，在中國大連量產的第二類的3D-NAND，排名第二，以及紫光／Cypress在中國武漢，才準備要合作生產的第三類，比較落後的32層3D-NAND等。此三種3D-NAND之間的工藝有何區別？簡單解釋如下。 第一類：三星64層3D-NAND，又稱為第四代V-NAND。
據媒體報導，第四代64層V-NAND主要是在韓國國內生產，至於在中國西安生產的，可能仍是其第三代48層V-NAND或以下。
3D-NAND位元基本結構和其操作方式：相比傳統的FG（Floating Gate，浮柵極）技術難度要小一些，這多少也幫助三星占了時間優勢（原文網址：https://kknews.cc/tech/a9kg5j.html）
三星的3D-NAND cell(位元)，基本上是採用全新的且沒在2D-NAND生產過的1-poly charge-trappingcell (電荷擷取式CTF)的架構，但其中兩種最重要的高壓基本操作方式，如擦洗（Erase）和程式（Program）的物理特性和條件，還是使用如2D-NAND的FN-Tunneling（FN穿隧）特性，因此在設計上，其風險性較低。從2013年開始，早已超越競爭者三年以上並進入量產了。
第二類：美光/英特爾第二代64層3D-NAND。
它主要還是在美國國內生產，在中國大連生產的，可能只是其第一代，32層、3D-NAND。
1)美光/英特爾3D-NAND位元的基本架構：
它仍維持和2D-NANDcell一樣，使用2-poly floating-gate cell (傳統懸浮閘式FG)。和三星一樣，其兩種最重要的高壓基本操作方式，如擦洗(Erase)和程式(Program)的物理特性和條件，完全延續了2D-NAND 有卅年量產證明的特性，達到品質相對地有較高的保證。
2)週邊CMOS線路的特殊形成和安排，首次亮相：
2016年是3D-NAND工藝很重要的分水嶺，因為美光／英特爾在美國舊金山國際半導體ISSCC（國際固態電路會議）年會上，發表一個嶄新的3D-NAND工藝架構。反其道而行，把傳統置於快閃週邊很耗面積的大部分CMOS（互補式金屬氧化物半導體）線路，不僅多倍的增加，且直接形成在整個3D-NAND「大儲存列陣」之下。其目地，除了能大大提升快閃讀寫速度之外，它的面積不增反減節約20%，也造就了其快閃製造成本進一步的降低。
第三類: 生產基地在中國武漢，紫光／Cypress第一代32-層3D-NAND。
3D-NAND位元基本結構和其操作方式：基本上，採用了Spansion（飛索半導體）在2D-NOR量產過的1-poly charge-trapping cell (Mirror－bit電荷擷取式)的架構。在3D-NAND上的量產狀況，仍有待往後的證明。
結論，三星和美光／英特爾在歷史上，一直就很自豪其自家記憶體的實力和經驗，這也說明，他們為什麼都不競標東芝快閃的原因。
小博士：
目前三星、東芝、晟碟（新帝）、英特爾、SK海力士、美光等六家的快閃記憶體產能已占據全球NAND快閃記憶體市場近九成的市場比重，隨著晶圓物理極限出現，固態硬碟存儲單元能夠裝載的記憶體顆粒逼近極限，於是有了世代的演進，來增加記憶體空間。如果用蓋樓的方式比喻，2D-NAND是平房，3D-NAND是樓房，4D-NAND則是「3D-NAND+類DRAM」的混合型。
至2017年為止，在中國境內，總共有三類3D-NAND同時在發展進行中，其中以韓國三星，在中國西安大量生產的第一類的3D V-NAND，排名第一；美國美光／英特爾，在中國大連量產的第二類的3D-NAND，排名第二，以及紫光／Cypress在中國武漢，才準備要合作生產的第三類，比較落後的32層3D-NAND等。此三種3D-NAND之間的工藝有何區別？簡單解釋如下。 第一類：三星64層3D-NAND，又稱為第四代V-NAND。
據媒體報導，第四代64層V-NAND主要是在韓國國內生產，至於在中國西安生產的，可能仍是其第三代48層V-NAND或以下。
3D-NAND位元基本結構和其操作方式：相比傳統的FG（Floating Gate，浮柵極）技術難度要小一些，這多少也幫助三星占了時間優勢（原文網址：https://kknews.cc/tech/a9kg5j.html）
三星的3D-NAND cell(位元)，基本上是採用全新的且沒在2D-NAND生產過的1-poly charge-trappingcell (電荷擷取式CTF)的架構，但其中兩種最重要的高壓基本操作方式，如擦洗（Erase）和程式（Program）的物理特性和條件，還是使用如2D-NAND的FN-Tunneling（FN穿隧）特性，因此在設計上，其風險性較低。從2013年開始，早已超越競爭者三年以上並進入量產了。
第二類：美光/英特爾第二代64層3D-NAND。
它主要還是在美國國內生產，在中國大連生產的，可能只是其第一代，32層、3D-NAND。
1)美光/英特爾3D-NAND位元的基本架構：
它仍維持和2D-NANDcell一樣，使用2-poly floating-gate cell (傳統懸浮閘式FG)。和三星一樣，其兩種最重要的高壓基本操作方式，如擦洗(Erase)和程式(Program)的物理特性和條件，完全延續了2D-NAND 有卅年量產證明的特性，達到品質相對地有較高的保證。
2)週邊CMOS線路的特殊形成和安排，首次亮相：
2016年是3D-NAND工藝很重要的分水嶺，因為美光／英特爾在美國舊金山國際半導體ISSCC（國際固態電路會議）年會上，發表一個嶄新的3D-NAND工藝架構。反其道而行，把傳統置於快閃週邊很耗面積的大部分CMOS（互補式金屬氧化物半導體）線路，不僅多倍的增加，且直接形成在整個3D-NAND「大儲存列陣」之下。其目地，除了能大大提升快閃讀寫速度之外，它的面積不增反減節約20%，也造就了其快閃製造成本進一步的降低。
第三類: 生產基地在中國武漢，紫光／Cypress第一代32-層3D-NAND。
3D-NAND位元基本結構和其操作方式：基本上，採用了Spansion（飛索半導體）在2D-NOR量產過的1-poly charge-trapping cell (Mirror－bit電荷擷取式)的架構。在3D-NAND上的量產狀況，仍有待往後的證明。
結論，三星和美光／英特爾在歷史上，一直就很自豪其自家記憶體的實力和經驗，這也說明，他們為什麼都不競標東芝快閃的原因。
小博士：
目前三星、東芝、晟碟（新帝）、英特爾、SK海力士、美光等六家的快閃記憶體產能已占據全球NAND快閃記憶體市場近九成的市場比重，隨著晶圓物理極限出現，固態硬碟存儲單元能夠裝載的記憶體顆粒逼近極限，於是有了世代的演進，來增加記憶體空間。如果用蓋樓的方式比喻，2D-NAND是平房，3D-NAND是樓房，4D-NAND則是「3D-NAND+類DRAM」的混合型。
