韓國首爾中央地方法院週六(12/16)批准逮捕1名涉嫌將晶片核心技術洩露給中國的前三星電子員工，該名員工遭懷疑向中國長鑫存儲提供與18奈米DRAM記憶體晶片技術相關的資訊，造成的損失恐怕高達2.3兆韓元(約新台幣560億元)。
綜合《韓國經濟日報》、《韓聯社》等報導，三星電子前部長金某涉嫌將18奈米級DRAM核心技術非法轉讓給中國晶片製造商長鑫存儲。韓國檢方認為，金某等人2016年跳槽到長鑫存儲時，不僅轉讓半導體「沉積技術」等相關資料，同時還洩露其他7個核心技術資料，以此收受數百億韓元的財物。
檢察官認為，該技術洩漏所造成的損失可能約2.3兆韓元(約新台幣560億元)，此案還涉及到來自三星其他供應商，不排除擴大調查。
不僅如此，長鑫存儲還砸下重金，挖角三星電子與相關公司約20名的技術人員。不過，長鑫存儲拒絕就此事發表評論，但在一份聲明表示，「公司尊重知識產權，並擁有健全的機制來防止員工的第三方資訊流入」。
根據長鑫存儲官網，總部位在中國安徽合肥的長鑫存儲，創立於2016年，專注於動態隨機存取存儲晶片(DRAM)設計、研發、生產和銷售，目前已在合肥、北京建成12吋晶圓廠並投產。
長鑫存儲幾周前才發布，已生產出中國首款低功耗雙倍資料速率5(LPDDR5) DRAM晶片，縮小與南韓三星和SK海力士等領先廠商的差距，這一進展將使中國的DRAM技術僅落後韓國三星四年的時間，引起韓國業界震撼。
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