力積電宣告以18億美元出售銅鑼廠予美光，並獲美光預約HBM後段晶圓製造產能，然而業界更關注的，是美光未來將對力積電提供何種技術移轉，助其切入重點戰區。
1月17日，全球第三大DRAM（動態隨機存取記憶體）廠美光科技與台灣晶圓代工廠力積電共同宣布，雙方簽署獨家合作意向書，美光將以現金18億美元（約合新台幣568億元）的手筆，收購力積電位於苗栗銅鑼的P5晶圓廠。
此次美光收購的12吋晶圓廠，面積約2.7公頃，與自家台中后里廠區相鄰，車程不到30分鐘。據知情人士透露，這一場交易，從交涉到拍板前後僅花兩個月時間，「美光態度很積極，因為，時間就是金錢。」
美光新聞稿指出，交易預計在第二季完成，此後將分階段導入設備，逐步提升DRAM產能，「預期此收購案將自2027年下半年起，為公司DRAM晶圓產能帶來顯著貢獻。」
▲（攝影／劉咸昌）
▲力積電董事長黃崇仁（上圖）在內部信中表示，這次賣廠「是公司的第四次轉型。」力積電將在新竹廠逐漸淘汰低毛利產品線。（攝影／劉咸昌）
美光DRAM供不應求
銅鑼廠2027年貢獻產能
為什麼美光這麼急？答案在於AI需求井噴所帶來的「排擠效應」。隨著輝達與雲端業者的AI晶片需求爆炸性成長，作為核心零組件的HBM（高頻寬記憶體）成為兵家必爭之地。
然而，製造HBM對晶圓產能的消耗極為驚人。產業界普遍估算，生產相同位元數的HBM，所消耗的晶圓產能是標準型DRAM的兩到三倍。
據元大投顧預估，美光因為無塵室空間受限，2026年底HBM月產能較2025年同期，僅能增加3％，低於同業SK海力士、三星的8到10％。美光管理階層就在投資會議上坦言，公司僅能滿足關鍵客戶一半至三分之二的中期需求。
美光雖然已啟動全球擴廠，在日本、美國投資興建新的DRAM晶圓廠，但速度明顯緩不濟急。一名分析師指出，需要兩年（2028年）以後才能看到具體的成效，相對的，此次收購的P5廠，「基本上力積電已經建好無塵室，讓美光至少節省一年半的時間。」微驅科技總經理吳金榮指出。
這筆交易，對美光來說不但來得及時，吳金榮更形容，對力積電董事長黃崇仁來說，「是一個天上掉下來的禮物」。
力積電2024年才啟用的銅鑼P5廠，原是公司寄予厚望的擴產基地，場地可以興建三座12吋廠，目前只有一廠完成興建開始生產，不過自啟用以來，這座廠已成為力積電沉重的財務包袱。
由於P5廠主要生產成熟邏輯製程，以及部分3D晶圓堆疊、矽中介層 （Silicon Interposer）等新產品，不料碰到中國同業在成熟製程殺價競爭，導致訂單嚴重不足。
本來P5廠預計月產能可達到4至5萬片，目前僅開到約8千片，並遠低於獲利低標1.5萬片到兩萬片。低產能利用率對比於龐大折舊，讓力積電去年前三季虧了71.6億元。
不過去年底受惠於記憶體價格飆漲，力積電11月單月自結，虧損已經收斂至2.3億元，現在透過賣掉廠房，就可大幅減少成熟製程的虧損；摩根士丹利預估，賣廠將額外為力積電帶來每股稅後純益（EPS）8元的貢獻。
值得注意的是，2024年5月銅鑼廠落成時，力積電曾表示該廠已付出的投資額達8百億元，惟力積電表示：「那是包含設備的投資額，實際建廠並沒有那麼多。」
除了擺脫包袱，業界認為此交易對力積電的「未來發展」更具意義，「因為，力積電想要找到長期投片客戶。」一名分析師指出。
加強利基型記憶體技術
力積電、美光深化戰略合作
對此，黃崇仁已在內部信中表示，美光將以預付貨款方式，預約力積電的HBM後段晶圓製造（PWF）產能，將力積電正式納入其HBM供應鏈。據了解，力積電瞄準的是美光HBM堆疊（Stacking）技術外包。業界人士分析，力積電過去在CIS累積相當經驗，加上公司也有記憶體與邏輯晶片堆疊的產品藍圖，切入這個領域並不令人意外。
然而，挑戰依然巨大，一名有投入類似技術的封測業者提醒，HBM堆疊層數高，「在6、7片裡面只要一片疊壞，整顆就報廢……，這是前段製程等級的巨額投資，風險與封裝完全不同。」
除了HBM的大餅，外界最關注的，還有力積電新聞稿中暗藏的一句話：「美光將協助公司精進現有利基型DRAM製程技術。」業界解讀，這似代表美光將把20奈米以下的DRAM製程技術移轉給力積電。
這對力積電來說至關重要，「目前力積電製程節點只到二X奈米，不足以生產現在市場漲最凶的DDR4。」一名力積電記憶體客戶指出，透過美光支援設備、技術，有望解決力積電製程障礙，以最快的速度切入20奈米以下技術。
不過，現在各家大廠競相投資擴廠，是否影響未來記憶體市況？研究機構Yole Group亞太地區負責人黃茂原直言，不僅產能開出需要時間，且AI的需求也仍持續增加，因此，短期內市場仍會呈現供需失衡的情勢，「最快恐要到2027年下半年，才有機會看到價格些微轉弱。」但整體仍將維持供需緊繃。
