記憶體大廠迎「戴維斯雙擊」效應，尤其，生成式人工智慧崛起後，大型語言模型動輒數兆參數，訓練過程需要處理巨量資料，而每一次推論與運算，都必須透過記憶體進行資料存取。當資料量暴增，記憶體需求也隨之放大。
這讓DRAM需求迅速爆發。TrendForce預估，2026年全球DRAM產值將一舉超越4000億美元，NAND Flash產值也將接近1500億美元，相較去年，將是倍數級的爆發性成長，這也是歷史上前所未有的擴張速度。
也因此，可扮演快速傳輸直升機角色的HBM，成為全球三大廠致力擴廠的首選，又因為需求強大，三大廠連現有產能也進行調配，部分轉以生產HBM為主，無形中排擠傳統DRAM產品的產能，一來一往之間導致全球記憶體市場陷入結構性短缺。
影響所及，讓記憶體大廠進入「戴維斯雙擊」（Davis Double Play）的甜蜜期。
一方面，高單價的HBM直接拉升廠商的每股稅後純益（EPS）；另一方面，記憶體在AI世界的戰略地位，也讓市場重新評價這些過去被視為景氣循環股的記憶體廠，本益比隨著技術門檻的提高而逐步修復。這種基本面與估值面的共振，正是推動這一波記憶體股價狂飆的重要原因。
具體來看，三星去年整年股價漲幅都超過120％，海力士更是268％之多，對照三星（半導體貢獻8成獲利）與海力士已公布的2025年財報，兩家去年合計的營業利益超過86兆韓元，換算下來是1.7兆新台幣；可預見即將公布財報的美光，獲利也是不遑多讓，真正是印證「戴維斯雙擊」效應。
再進一步看NAND Flash產業，供應商雖較DRAM分散，但集中度仍然很高。根據TrendForce統計，去年第4季全球近9成營收仍由前5大廠掌握，包括三星、SK海力士、鎧俠、美光與威騰電子旗下之晟碟。
但3D NAND的技術門檻與資本需求遠高於早期2D NAND，動輒數百層的堆疊製程不僅需要更複雜的設備，也使新廠建置成本大幅提高。一座新廠從建廠到投產，至少需要一年半到兩年時間，使得短期內難以看到新產能快速攀升。
在AI需求持續擴張的背景下，記憶體市場的供需缺口可能進一步擴大，未來幾年價格走勢仍易漲難跌。這也是為什麼群聯執行長潘健成、威剛董事長陳立白不約而同認為，AI是剛需，宛如宇宙大黑洞，將吸納大量記憶體，市場短期難達到供需平衡。
陳立白甚至認為，三大廠為了好好享受價格暴漲帶來的暴利甜果，一定會審慎拿捏擴廠速度，一旦供給滿足市場需求，價格也會快速修正，「誰不想多享受一下美好時刻？」
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