全球記憶體大廠美光週一（11/6）宣布位於台中的四廠正式啟用、廠區主要負責整合先進探測與封裝測試，佈局目前正夯AI應用的HBM3E產品。
「台灣對於美光的DRAM技術創新至關重要，技術部署最終促成了美光在全球記憶體產業中的成功模式！」幾年沒有在台灣有公開活動的美國記憶體大廠美光執行長Sanjay Mehrotra，於台中四廠啟用儀式上緩緩說道。
美光身為在台灣的最大外商投資者，過去併購華亞科、瑞晶等晶圓廠後持續擴產、累積在台投資額300億美元，目前美光約有6成DRAM產能就是在台灣，其中1-Beta 製程已經在台灣實現量產，在2025年將於台灣導入EUV機台量產1-Gamma製程記憶體，而現在除了DRAM製造外，下一步美光在台灣瞄準的，就是應用於AI晶片的HBM3E記憶體晶片。
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▲美光1-Beta製程晶圓
HBM（高頻寬記憶體）由於採用3D堆疊以及TSV技術，堆疊多片DRAM Die可實現更頻寬，成為NVIDA熱門的AI晶片A100、H100裡頭的重要記憶體元件，知名分析師陸行之就在臉書上指出，HBM 竟然超過NVIDA HGX成本一半。
不過根據調研單位Trend Force資料，以去年HBM晶片市佔率來說，以SK海力士5成居冠，三星電子居次4成，較晚跨入的美光市占率僅有10％。不過隨著美光加大力道投資HBM技術，即將在明年初量產間距短、散熱表現更佳的HBM3E晶片，量產時間也比SK海力士2024年第二季、三星2024年第三季來的早。
美光計畫在日本生產HBM3E晶圓，再將晶圓運來台灣進行先進封裝，而未來台灣也有生產HBM3E晶圓的計畫。對此一名分析師指出，美光在台灣設立先進封裝據點，可能與客戶、供應鏈齊優勢有關，再加上政府支持以及有相關人才，最後決定在台灣投資先進封裝產能。
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▲台灣美光董事長盧東暉
台灣美光董事長盧東暉透露，過去HBM晶片產能主要在競爭對手上，美光在HBM晶片上屬於彎道超車，但因為AI革命的出現，目前許多業者都對美光的HBM晶片有興趣，加上現在HBM晶片產能不夠，「對美光來說，就是未來會有upside的空間。」
美光技術開發事業部資深副總裁 Naga Chandrasekaran指出，隨著台中四廠落成，台灣將成為美光唯一一個可以進行HBM記憶體製造、探測、測試、組裝的垂直整合生產基地。
台灣美光後段封測廠副總裁張玉琳也指出，目前美光最新開幕的台中四廠雖然是封裝廠，但如果看過「會非常訝異裡面的自動化程度，會以為是進入了一個12吋晶圓廠……這是帶動台灣封測業自動化的里程碑。」
至於記憶體市況部分，盧東暉指出現在記憶體週期見底，正在回覆當中，而隨著HBM3E持續擴廠，也需要增加人力。不過他也坦言，目前各大記憶體廠前端廠都沒有滿載，庫存週期還在持續，估計會等到前段工廠恢復滿載，才會把增加人員提到日程計畫。
