今周刊編按：美國聯準會（Fed）4/29宣布維持利率不變，主席鮑爾在決策會議後表示，這是他最後一次以聯準會主席身分主持記者會，並打算繼續留任聯準會理事。司法部先前針對聯準會總部翻修成本展開調查，鮑爾說，在該調查真正結束、達到透明與定論之前，自己不會離開理事會。他也恭賀新任聯準會主席人選華許，在聯邦參議院銀行委員會審核中取得很大進展。除了人事異動，鮑爾也特別提到，美國總統川普對他的嚴厲批評「在Fed長達113年歷史中『前所未見』，我對此深感憂慮。」在鮑爾宣布會留任理事後，川普又隨即在社群媒體發文稱：「『太慢先生』鮑爾想留在聯準會，是因為他找不到其他工作，沒有人要他」。
日期：2026-04-30
今周刊編按：聯電（2303）法說會釋出利多消息，不只公布首季獲利翻倍，每股盈餘1.29元，同時宣布實施庫藏股計畫，消息讓聯電ADR飆漲9.35%，收在12.75美元。台股週四（4/30）一開盤，聯電跳空開高、最高來到80.9元直逼漲停價，漲幅高達8.5%；後續漲勢略為收斂，短短十分鐘爆出逾8萬張大量。聯電董事會通過庫藏股計畫，自4/30到6/29，自集中市場買回自家股票5萬張，以轉讓股份予員工，買回價格區間為52.5至109.5元，買回股份金額總上限達54.75億元。這也是聯電自2020年疫情股災以來，睽違6年再度實施庫藏股。資深證券分析師表示，聯電法說會展望不錯，目標價有望上調至88至97元，100元被視為「樂觀情境下的長線目標」。
日期：2026-04-30
AI競爭從算力堆疊走向推論與代理執行，帶動CPU需求急升，硬體配置調整牽動供應鏈擴散，精密金屬加工等製造環節也可望受惠新一波升級商機。
日期：2026-04-29
蘋果創立滿50載恰逢換帥異動，特納斯接任不只是權力更迭，更是回歸創新本質的訊號。面對AI賽局與產品轉型，這位工程師領袖能否帶領科技帝國重返巔峰？
日期：2026-04-29
今周刊編按：聯發科(2454)發爐起來沒極限！繼上周3根漲停板之後，周ˋ二(4/28)盤中再亮燈，來到2675元，累計4月漲幅高達87%。聯發科法說會周四(4/30)將登場，外界除關心手機晶片業務展望外，聯發科如何布局、擴張AI版圖，未來AI ASIC伺服器會如何挹注公司營收，更是法人與投資人關注焦點。從籌碼面來看，外資連3天買超1720張、投信更是連10買進9757張，自營商也是連5買28603張，三大法人合計連10天買進28603張，顯見在這波資金鎖定權值股下，暫時還沒有停歇跡象。觀察聯發科股價從月初最低1430元至今，漲幅高達87%，技術面上似有過熱跡象，資深分析師許博傑直言，週四法說會帶來的亮點可能無法超乎預期，到時候股價就有可能回跌。許博傑建議，若是手中有持股的，可以先獲利了結，待法說會後拉回修正再撿回來。分析師謝晨彥則是表示，AI 需求持續放大，從 ASIC 到雲端運算，成長動能具體且可驗證，股價走強本來就有基本面支撐，在對的時間進場，然後有耐心讓趨勢幫你放大利潤，這一波行情已經走出來了，但市場從來不只一段機會。
日期：2026-04-28
2026台北國際電腦展（COMPUTEX）將於6/2至6/5於台北南港展覽館1、2館、世貿1館及台北國際會議中心登場，今年不但有輝達執行長黃仁勳，還有高通、Marvell、英特爾、恩智浦等科技大咖發表Keynote演講。COMPUTEX 2026年主題是什麼？活動日期時間與地點？有哪些Keynote演講？展區、主要活動、怎麼報名，《今周刊》彙整一文讓讀者快速掌握。
日期：2026-04-27
台股週一（4/27）盤中強勢站上4萬點大關，但市場資金高度集中於權王台積電(2330)情況，引發投資人對於「指數傾斜」、「拉積盤」與「騰落線」的憂慮。簡單來說，就是大盤指數持續創出新高，但騰落指數卻無法創新高，甚至開始向下走低，表示大盤的漲勢僅靠少數權值股支撐，大多數個股卻已在下跌，暗示漲勢不健康、風險正在累積。對此，多位專家分析，這並非單純的市場過熱，而是反映全球產業往半導體集中的現實，且在政策放寬與AI趨勢帶動下，半導體已晉升為國家級的「戰略物資」。
日期：2026-04-27
未待中東戰雲消散、投資人上周追捧晶片股，創美股連漲18日的輝煌佳績之際，本周將面臨真正考驗：一是由美國科技七雄中、五家大型科技公司領軍的重量級財報周，資本支出恐淪為票房毒藥。二是包括聯準會（Fed）在內的四大央行陸續開會，各界關注決策者礙於通膨隨油價上揚，除Fed外利率可能走向收緊，而非寬鬆。
日期：2026-04-27
在深入分析2026年第一季的結構性轉變之前，我們必須冷靜地檢視，過去一個月那斯達克（Nasdaq）股市所展現的強勁韌性。
日期：2026-04-27
上周四（23日），由矽谷創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor，與宏碁創辦人施振榮共同宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（POC），密度與容量是現有DRAM的8倍，並可在現有3D NAND（快閃記憶體）設備上製造，對記憶體產業將帶來30年來最重大的架構變革。
日期：2026-04-27
