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日期：2026-04-29
AI運算需求爆發，從GPU、HBM到先進封裝，產業鏈價值正快速向上游材料端移動。當企業把核心技術升級為AI基礎設施的一環，原本受限的估值天花板，將因此被打開。
日期：2026-04-29
AI人工智慧愈來愈夯，相關應用紛紛落地，讓2026年科技業徵才趨勢出現大變化。在半導體人才需要持續擴張下，軟體業的徵才需求反而趨緩，顯見當AI應用走向成熟，企業不再盲目擴編，而是針對實際需求徵才。此外，觀察2026年科技業十大高薪職業，IC設計工程師、類比IC設計工程師依舊冠群雄。不過，值得留意的是，若從加薪幅度來看，除了數位IC設計工程師加薪幅度達22%，科技業的客服工程師、門市專櫃人員的加薪幅度，同樣突破2成。
日期：2026-04-28
今周刊編按：聯發科(2454)發爐起來沒極限！繼上周3根漲停板之後，周ˋ二(4/28)盤中再亮燈，來到2675元，累計4月漲幅高達87%。聯發科法說會周四(4/30)將登場，外界除關心手機晶片業務展望外，聯發科如何布局、擴張AI版圖，未來AI ASIC伺服器會如何挹注公司營收，更是法人與投資人關注焦點。從籌碼面來看，外資連3天買超1720張、投信更是連10買進9757張，自營商也是連5買28603張，三大法人合計連10天買進28603張，顯見在這波資金鎖定權值股下，暫時還沒有停歇跡象。觀察聯發科股價從月初最低1430元至今，漲幅高達87%，技術面上似有過熱跡象，資深分析師許博傑直言，週四法說會帶來的亮點可能無法超乎預期，到時候股價就有可能回跌。許博傑建議，若是手中有持股的，可以先獲利了結，待法說會後拉回修正再撿回來。分析師謝晨彥則是表示，AI 需求持續放大，從 ASIC 到雲端運算，成長動能具體且可驗證，股價走強本來就有基本面支撐，在對的時間進場，然後有耐心讓趨勢幫你放大利潤，這一波行情已經走出來了，但市場從來不只一段機會。
日期：2026-04-28
大學念醫務管理與公共衛生的專業，王奕凱畢業後進入癌症防治中心擔任個案管理師。他觀察到，許多罹癌患者的狀況都與長期飲食累積有關，加上母親於2003年第一次確診癌症，讓他更深刻感受到「從源頭預防」的重要。那段時間，他受到當時正紅的《窮爸爸富爸爸》啟發，開始思考：自己能不能做一件影響力更大的事——投入食品創新，讓人們享用美味的同時，身體的負擔也能被照顧。「健康的食物不可能天天吃，我開始想：有什麼食物是人們避不了、又很想吃的？那就是甜點。」於是，著手研發一款連母親也能安心吃的蛋糕，以低糖乳酪蛋糕為起點，品牌命名為「起士公爵」。起士公爵曾連續4年（2015~2018年）成為金馬獎指定甜點，連續2屆榮獲台灣烘焙大賞（網路聲量前30強）。
日期：2026-04-27
今周刊編按：台積電離職工程師陳力銘涉與台積電工程師吳秉駿、戈一平等人，涉嫌洩漏台積電2奈米製程機密。其中14張被鑑定為「國家核心關鍵技術」，情節重大，且違反《國家安全法》。週一(4/27)智慧財產與商業法院，針對4名台積電前任、現任工程師提出一審宣判結果。判處主嫌陳力銘10年有期徒刑，吳秉駿3年、戈一平2年、陳韋傑6年。另外，東京威力科創女主管盧怡尹則判刑10月，可上訴。其中主嫌陳力銘應執行10年徒刑，東京威力科創則遭科處1億5000萬元罰金，全案成為台灣科技業營業秘密保護指標案件。
日期：2026-04-27
台積電4月中旬法說會釋出一連串超預期訊號，不僅首季營收與獲利雙創新高，毛利率與營益率同步突破市場預期，更關鍵的是，公司對第二季與全年展望全面上修，確認AI與高效能運算需求已從題材轉為長期結構性成長。營收年增逾四成、毛利率站穩中高60%區間，意味著台積電營運已進入「量價齊揚」的新獲利階段，也為全球半導體景氣重新定錨。
日期：2026-04-27
台股資金永動機繼續發威周一(4/27)！周一(4/27)指數一開盤就直奔４萬點之上，最高來到40194.91點，大漲1262.5點，台股創造新紀錄，漲點也是史上第一大。台股擔當台積電(2330)股價最高來到2330元，早前目標上看股號已經達標，市值衝上60.42兆元，另外聯發科(2454)也繼續衝關來到2575元，漲幅高達5.7%。至於早前弱勢的記憶體族群，也同步翻揚，其中南亞科(2408)上漲超過7%，旺宏(2337)逾6%，威剛(3260)也有5%之多。財信傳媒董事長謝金河在臉書上分享，台股衝破4萬大關，市值超過英國晉升全球第6大股市，連台灣人最愛的0050也在日本得到媒體關注及投資人青睞，能見度大大提升。0050周一也跟隨科技股漲勢，股價最高來到94.25元，上漲超過4.7%，已經回到分割價188.65的一半！
日期：2026-04-27
上周四（23日），由矽谷創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor，與宏碁創辦人施振榮共同宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（POC），密度與容量是現有DRAM的8倍，並可在現有3D NAND（快閃記憶體）設備上製造，對記憶體產業將帶來30年來最重大的架構變革。
日期：2026-04-27
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