欣興為什麼出事？美中角力灰色空間愈來愈少！星期五股市即將收盤前，才剛剛創歷史新高價的欣興電子突然出現急殺，收盤後，果然新聞出現欣興電子遭到桃園地檢署搜索，兩名副總，一名會計人員被帶回。消息傳出後，PTT上面熱烈討論，看起來是欣興將中國生產的產品改貼「MIT」，被質疑有洗產地之嫌。
日期：2026-08-30
瞄準全球AI伺服器黃金門戶，韓國首家IC設計獨角獸FADU宣布與威剛旗下企業級品牌TRUSTA展開策略合作，未來將擴大在台投資與編制。
日期：2026-08-20
今周刊編按：記憶體概念股周一(8/3)股價噴發，包括華邦電(2344)、南亞科(2408)、旺宏(2337)，延續上周五的氣勢再次拉出第二根漲停板，其中華邦電排隊買盤高達萬張，顯示記憶體人氣又再回來！其中，多家投顧法人看好旺宏營運表現，國票投顧維持「強力買進」評等，預估旺宏今、明兩年每股盈餘可望分別達21.42元與56.71元；凱基投顧則給出217元的目標價，若以旺宏漲停價110.5元計算，還有96%上漲空間。台股老先覺杜金龍在投資優我罩－優分析節目中則是提到，記憶體早前的震撼教育，只是籌碼過熱的去槓桿過程，對於南亞科、華邦電的後市，杜金龍說記憶體產業後年獲利將呈現倍數成長，股價拉回或腰斬都是提供甜甜價讓投資人介入，可以一路抱到明年5月、享受大多頭末升段。而華邦電、旺宏和力積電各有轉機題材，如果要挑的話，杜金龍說以獲利爆發規模和籌碼純度來看，首選還是南亞科。
日期：2026-08-03
從開啟太空與通訊新紀元的SpaceX，到引領生成式AI革命的OpenAI 與 Anthropic，再到肩負中國半導體國產替代指標的記憶體雙雄--長鑫存儲(長鑫科技)與長江存儲，這五家公司密集推進的首次公開募股(IPO)，不僅是企業發展史上的資金里程碑，更是全球科技產業版圖、AI 軍備競賽以及半導體供應鏈重組的關鍵分水嶺，並在公共資本的全面介入下，劃出了全球半導體產業的全新邊界。
日期：2026-07-22
海力士，三星的槓桿折斷了！多放了一天颱風假，本來大家覺得今天(7/13)台股要大漲，沒想到卻被三星，海力士壞了大事。今天台股開盤上漲逾千點，收盤回到平盤，原因是南韓海力士，三星股價大跌。
日期：2026-07-14
韓國大舉擴產、記憶體股價震盪，市場開始擔心新一波供過於求危機。但AI浪潮持續爆發，短期供需失衡仍難解，超級循環週期還有戲？
日期：2026-07-08
AI浪潮引爆HBM與SSD需求，讓SK海力士、三星、美光、鎧俠等「記憶體七雄」躍居市場焦點。這股記憶體狂潮不僅改寫產業版圖，更牽動全球股市脈動。
日期：2026-07-01
今周刊編按：2027 年全球記憶體供需缺口持續擴大！根據英國《金融時報》報導，蘋果（Apple）近期正積極遊說川普政府，期盼能向被列為「黑名單」的中國長鑫存儲（CXMT）購買記憶體晶片，以緩解這波記憶體漲價潮帶來的成本壓力。記憶體供不應求，蘋果新機漲價消息頻傳！根據《華爾街日報》報導，研究機構 TechInsights計算，iPhone 18 Pro 純硬體成本為 726 美元（約新台幣23,121元），相較前代iPhone 17 Pro的582美元（約新台幣18,535元），大增約25%。報導推估，若蘋果維持相同毛利率，iPhone 18 Pro在美國市場售價可能上調200美元（約新台幣6,369元），來到1,299美元（約新台幣41,411元）。若以台灣目前iPhone 17 Pro39,900元起售價作為基準推算，加計200美元漲幅後，iPhone 18 Pro在台售價恐上看46,211元。
日期：2026-06-29
今周刊編按：美股4大指數漲跌互見，然而受到晶片族群表現弱勢、美光股價重摔、中東局勢升級等利空衝擊，台股周五(6/5)一度下殺超過1400點，摜破5日線、10日線與45000大關，來到44209.53點，隨後低點支撐買盤湧現，跌幅略收斂。終場下跌606.52點，收在45,070.94點，跌幅為1.33%。有分析師示警，DRAM與NAND價格高峰恐提前於今年中到來，引發市場對記憶體榮景反轉的擔憂，美光重摔超過7.7%，記憶體概念股漲多拉回，包括華邦電(2344)、南亞科(2408)、旺宏(2337)、晶豪科(3006)、十銓(4967)、創見(2451)、宜鼎(5289)、宇瞻(8271)、青雲(5386)等個股盤中一度跌停。力積電(6770)一度逼近跌停，威剛(3260)、品安(8088)、盤中則重摔6~7%，終場華邦電跟創見跌停作收。分析師認為，此波下跌反映短線獲利了結壓力，記憶體產業基本面仍穩健，股價短期回檔是一個好的買點，建議投資人可利用回檔機會分批布局。
日期：2026-06-05
上周四（23日），由矽谷創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor，與宏碁創辦人施振榮共同宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（POC），密度與容量是現有DRAM的8倍，並可在現有3D NAND（快閃記憶體）設備上製造，對記憶體產業將帶來30年來最重大的架構變革。
日期：2026-04-27
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