台灣尤努斯基金會由2006年諾貝爾和平獎得主穆罕默德．尤努斯教授授權成立，長期推動以「零淨碳排放、零貧窮、零失業」為核心的三零願景，透過教育、競賽與行動實作培育社會創新人才。
日期：2026-04-28
AI人工智慧愈來愈夯，相關應用紛紛落地，讓2026年科技業徵才趨勢出現大變化。在半導體人才需要持續擴張下，軟體業的徵才需求反而趨緩，顯見當AI應用走向成熟，企業不再盲目擴編，而是針對實際需求徵才。此外，觀察2026年科技業十大高薪職業，IC設計工程師、類比IC設計工程師依舊冠群雄。不過，值得留意的是，若從加薪幅度來看，除了數位IC設計工程師加薪幅度達22%，科技業的客服工程師、門市專櫃人員的加薪幅度，同樣突破2成。
日期：2026-04-28
總統賴清德周二（4/28）出席「總統創新獎頒獎典禮」，肯定得獎者以創新回應時代挑戰、為國家發展注入動能，並期許以多元創新持續推動台灣進步，讓世界因台灣變得更好。賴總統也表示，未來政府將持續作國人的靠山，營造更自由開放的創新環境，用多元的創新力，在國際各個領域綻放耀眼的台灣之光。第七屆總統創新獎得獎名單，團體組得主為「瑞昱半導體股份有限公司」及「社團法人台灣四十分之一移工教育文化協會」（One-Forty）。一般個人組得獎者為「國立清華大學通識中心與人文社會學院」教授、《造山者》導演蕭菊貞及「國立成功大學醫學院」名譽講座教授王榮德；青年組得獎者為「悠由數據應用股份有限公司」總經理吳君孝。
日期：2026-04-28
（本文為中國信託投信行銷資訊）中國國家主席習近平與越南共產黨總書記蘇林，於本月 14 日舉行深度會談，此次雙方會面不僅鞏固了兩國「具有戰略意義的命運共同體」關係，更實質性地簽署了32項合作文件。
日期：2026-04-28
今周刊編按：台積電離職工程師陳力銘涉與台積電工程師吳秉駿、戈一平等人，涉嫌洩漏台積電2奈米製程機密。其中14張被鑑定為「國家核心關鍵技術」，情節重大，且違反《國家安全法》。週一(4/27)智慧財產與商業法院，針對4名台積電前任、現任工程師提出一審宣判結果。判處主嫌陳力銘10年有期徒刑，吳秉駿3年、戈一平2年、陳韋傑6年。另外，東京威力科創女主管盧怡尹則判刑10月，可上訴。其中主嫌陳力銘應執行10年徒刑，東京威力科創則遭科處1億5000萬元罰金，全案成為台灣科技業營業秘密保護指標案件。
日期：2026-04-27
2026台北國際電腦展（COMPUTEX）將於6/2至6/5於台北南港展覽館1、2館、世貿1館及台北國際會議中心登場，今年不但有輝達執行長黃仁勳，還有高通、Marvell、英特爾、恩智浦等科技大咖發表Keynote演講。COMPUTEX 2026年主題是什麼？活動日期時間與地點？有哪些Keynote演講？展區、主要活動、怎麼報名，《今周刊》彙整一文讓讀者快速掌握。
日期：2026-04-27
台裔NASA太空人林琪兒（Kjell Lindgren）訪台掀起熱潮之際，台美官方太空合作也迎來大升級，創下雙方太空機構首長首度公開會晤的歷史紀錄。配合美國總統川普推動2028年重返月球的目標，政府正積極協助台廠搶攻規模達兆美元的太空商機。與會人士向《今周刊》透露，TASA主任吳宗信上月在華府當面向NASA署長艾薩克曼表達「台灣希望成為探月計畫的一部分」；艾薩克曼則正面回應，NASA正招募國際夥伴參與多元任務，未來擬成立工作小組，與台灣等國建立深層的對話與合作機制。目前台灣太空產業年產值約91.5億美元，TASA上月率領円通、敏鈞、稜研、耀登等21家台廠，赴華府參加全球衛星展（SATELLITE），大秀台灣從電子與通訊延伸至太空領域的堅強供應鏈實力。
日期：2026-04-27
IC設計大廠聯發科(2454)法說會本周登場，周一(4/27)股價一度飆上2757元創歷史天價、漲幅高達5.7%，不過收盤卻是全部收回去拉回平盤2435元，想上車的股民都在問：拉回就是買點？此前Google公布第8代TPU架構，堪稱是AI ASIC與GPU伺服器的重要轉捩點，聯發科搭上這班列車，可望大舉擴張AI版圖，對於未來如何挹注營收，與客戶如何合作，都有待法說會講分明。美國聯準會(Fed)預計召開利率決策會議，市場預料將按兵不動，且由於美伊戰火衝擊通膨，市場都在關注降息步調是否推遲，就看Fed主席鮑爾是否會釋出更多風向球。1、聯發科法說會來了 如何擴張AI版圖？2、戰爭推升通膨 今年還會降息嗎？3、台灣2026首季GDP出爐 成長率再拚雙位數成長
日期：2026-04-27
FIRE 提早退休的那些人，現在過得好嗎？Reddit 真實案例告訴我們的事。
日期：2026-04-27
上周四（23日），由矽谷創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor，與宏碁創辦人施振榮共同宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（POC），密度與容量是現有DRAM的8倍，並可在現有3D NAND（快閃記憶體）設備上製造，對記憶體產業將帶來30年來最重大的架構變革。
日期：2026-04-27
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