環境部曾宣示2025年全面限用塑膠袋，卻以失敗告終，如今再拋出2030年減量5％的新願景，但無法掌握供需數量，又捨棄以價制量的限用令，實行成果恐將重蹈覆轍。
日期：2026-04-29
在台灣如果你想爬百岳，上YouTube搜尋登山一定都看過她的影片，她是一位女性登山家柯柯，經營將近15萬人訂閱的頻道《柯式野生活》，裡面有各式各樣她爬山的影片，從兩天一夜中級山再到十天台灣深度探勘路線都難不倒她，更是把台灣許多珍貴的高山景色帶給了觀眾，也把登山文化傳遞給更多人；爬了7-8年的山，她被山林接納、走過了人生高峰，也走到了低潮、創作靈感乾枯的時刻，當她再度被山拯救後也有了全新的體悟：人生跟登山一樣，都不只是為了攻頂。
日期：2026-04-28
從上周五(4/24)開始，以台積電 (2330) 為首的權值股轉強，反觀之前強勢的 OTC 中小型股卻開始轉弱，關鍵就在金管會敲定的「台積電條款」。
日期：2026-04-27
今周刊編按：旺宏(2337)周一法說會釋出好消息，終結連10季虧損，第一季轉虧為盈，每股盈餘0.9元。旺宏董事長吳敏求表示，今年是個有趣的一年，營運可望逐季更好，至於好到什麼程度將逐季觀察。至於記憶體價格上，旺宏表示，NOR、NAND下半年價格可望持續調升，新產能明年下半年備妥，將以3D NAND為主。至於SpaceX帶動低軌衛星商機，吳敏求說，旺宏相關產品目前為止是唯一被歐美驗證，並完全符合衛星通訊的合格產品，客戶詢問湧單積極。旺宏周一開盤即震盪走高、10點多過後即鎖住漲停價145元，4萬多張等著買，從籌碼面來看，外資連3天買超43389張，投信也終止連8賣，顯見法人買盤逐步回流。至於最新目標價，根據FactSet調查10位分析師看法，中位數由157元上修至167.5元，調升幅度6.69%，其中最高估值300元，而大摩給予旺宏目標價為202，凱基投顧喊出目標價300元，距離目前股價尚有不小空間可期待。
日期：2026-04-27
當親子關係演變為「兩個不滿足的靈魂」互相拉扯，教養便成了沉重負擔 。爸媽唯有先看見自己的不滿足，才能打破限制，保護孩子與生俱來的動力，讓他們自信地面對世界。
日期：2026-04-27
中國國民黨、台灣民眾黨發起對總統賴清德彈劾案，立法院周一（4/27）召開全院委員會聽證會，在野黨邀請學者、專家與會說明，民進黨則未邀請題名單，也沒派立委參與聽證會。總統府發言人郭雅慧回應，賴總統一向坦坦蕩蕩，也非常認真做事，「我們比較注意的是，希望國會也能趕快做正事。」她呼籲藍白在立法院儘速「辦正事」，處理軍購特別條例，讓國家能上軌道。民進黨立法院黨團幹事長莊瑞雄直言，總統彈劾門檻極高，在野黨明知聯手也不會通過卻仍執意提出，徒增政治對立，民進黨就不奉陪這些公子政治表演。民進黨立委許智傑諷刺，聽證會淪「泛藍取暖大會」，籲藍白儘速審查、通過總預算，別再每天政治鬥爭。中國國民黨立法院黨團則反擊，此次聽證會本該是朝野就憲政秩序與法治原則進行理性攻防的場域，民進黨立委是「找不到理由幫一個違憲總統辯解，還是自知理虧，連上台說話的勇氣都沒有？」
日期：2026-04-27
──跨文化職場裡最難的英文，是幽默感。 常聽學生說，上正式的工作溝通沒有那麼難，有問題時就釐清，或補一封email追問，最怕的是會議裡老外講一個笑話，大家都笑了，只有你勉強擠出微笑、點頭、裝懂。
日期：2026-04-27
台積電漲逾2000元後勢如破竹，周一(4/27)再次上攻至2330元、達標股號！而記憶體大廠南亞科(2408)傳打入輝達Vera Rubin供應鏈，盤中亮燈漲停來到226.5元，帶動記憶體族群旺宏(2337)也直奔漲停，鎖在145元，威剛也一度漲停最高440元。台積電能漲到5000元、記憶體需求又有多大？財信傳媒董事長謝金河在《數字台灣》節目中指出，台積電這一次真的叫護國神山，「台積電在第二季的法說會當中說，合併營收在390到402億美元，毛利率在65.5到67.5之間，營業利率在56.5到58.5，資本支出不變。」「第一季EPS是22.08元，毛利率66.2％，營業利率58.1％，賺了5724.8億元，這是讓大家難以想像的一個好成績，國泰投信前董座張錫指出，台積電上看5000元，大家可以拭目以待」。至於南亞科引進私募怎麼看?鈞弘資本執行長沈萬鈞表示，以前大家看到私募，綁這麼多投資，就會覺得這個是不是大商機。現在都很明確，就是因為它們很缺DDR4，漲了40倍。「它跟美光投資力積電不一樣，美光投資力積電，是要買它的產能；這4家去認南亞科的私募，就是因為它想for sure未來的DDR4，而且它覺得這個位置並不是太貴。」
日期：2026-04-27
上周四（23日），由矽谷創業家許富菖創立的記憶體設計公司NEO Semiconductor，與宏碁創辦人施振榮共同宣布，其新一代記憶體技術3D X-DRAM™已完成概念驗證（POC），密度與容量是現有DRAM的8倍，並可在現有3D NAND（快閃記憶體）設備上製造，對記憶體產業將帶來30年來最重大的架構變革。
日期：2026-04-27
